Toshiba Luncurkan MOSFET Daya N-Channel 80V Menggunakan Proses Generasi Terbarunya untuk Tingkatkan Efisiensi di Pusat Data AI

Kawasaki, Jepang--(ANTARA/Business Wire)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") meluncurkan “TPM1R408RH”, sebuah MOSFET daya N-channel 80 V yang diproduksi menggunakan U-MOS11-H, yaitu proses generasi terbaru dari Toshiba^[1]. MOSFET ini ditujukan untuk aplikasi seperti catu daya mode-switching pada peralatan industri yang digunakan di pusat data AI dan stasiun pangkalan komunikasi. Pengiriman dimulai pada hari ini.

Pemrosesan AI yang semakin luas telah meningkatkan permintaan daya di pusat data, sementara kemajuan di bidang infrastruktur komunikasi semakin memperketat persyaratan akan efisiensi yang lebih tinggi, ukuran yang lebih kecil (densitas daya yang lebih tinggi), dan gangguan elektromagnetik (EMI) yang lebih rendah pada catu daya mode-switching. Mengingat kerugian daya secara langsung memengaruhi konsumsi daya sistem, timbulnya panas, dan beban pendinginan, maka penting untuk menerapkan semikonduktor daya dengan karakteristik yang mendukung pengurangan seimbang pada kerugian konduksi dan kerugian switching, serta berkontribusi pada optimalisasi sistem secara keseluruhan, termasuk penekanan EMI yang lebih baik, desain termal, dan kemudahan pemasangan.

TPM1R408RH dilengkapi struktur perangkat yang dioptimalkan dan menghasilkan resistansi-On drain-source sebesar 1,4 mΩ (maks.)^[2], sekitar 26% lebih rendah bila dibandingkan dengan “TPM1R908QM,” yaitu produk Toshiba 80V yang diproduksi menggunakan proses U-MOS X-H generasi sebelumnya milik Toshiba. Produk ini juga meningkatkan keseimbangan antara resistansi-On drain-source (R_DS(ON) ) dan total muatan gate (Q_g ), yang mencapai penurunan sekitar 45% pada nilai performa, R_DS(ON) × Q_g di atas TPM1R908QM. Karakteristik ini merupakan tingkat kehilangan daya rendah yang terdepan di industri^[3].

TPM1R408RH juga menekan lonjakan voltase yang timbul antara drain dan source selama proses switching, sehingga membantu mengurangi EMI pada catu daya mode-switching. Penekanan EMI sering kali memerlukan perbaikan di tahap-tahap akhir desain, tetapi menekan lonjakan voltase yang berasal dari perangkat itu sendiri membantu mengurangi kebutuhan perbaikan serta menyederhanakan rangkaian filter dan snubber.

Produk baru ini menggunakan paket SOP Advance(E), yang memiliki resistansi paket sekitar 65% lebih rendah dan resistansi termal sekitar 15% lebih rendah bila dibandingkan paket SOP Advance(N) Toshiba saat ini. Dengan menekan timbulnya panas dan meningkatkan pembuangan panas, paket ini mendukung output yang lebih tinggi serta desain catu daya yang lebih ringkas.

Toshiba juga menyediakan alat pendukung desain sirkuit untuk catu daya switching. Selain model SPICE G0, yang memverifikasi fungsi sirkuit dalam waktu singkat, kini tersedia model G2 SPICE dengan tingkat akurasi tinggi, yang mampu mereproduksi karakteristik transien secara akurat. Dengan simulator sirkuit online di situs web Toshiba, pengguna dapat dengan mudah memverifikasi pengoperasian sirkuit melalui browser web, tanpa perlu menyiapkan lingkungan simulasi atau mengunduh model perangkat. (Simulator sirkuit online: di sini)

Toshiba akan terus memperluas jajaran produk MOSFET daya yang meningkatkan efisiensi catu daya, sehingga membantu mengurangi konsumsi daya pada peralatan industri.

Catatan:
[1] Per bulan Juni 2026, berdasarkan proses MOSFET daya voltase-rendah Toshiba.
[2] V_GS =10V, I_D =50A, T_a =25°C
[3] Survei Toshiba, per bulan Juni 2026.

Aplikasi

Peralatan Industri

• Catu daya mode-switching untuk pusat data AI dan stasiun pangkalan komunikasi

Fitur

• Resistansi-On drain-source rendah: R_DS(ON) =1,4 mΩ (maks.) (V_GS =10V, I_D =50A, T_a =25°C)
• Resistansi-On drain-source rendah × total muatan gate: R_DS(ON) ×Q_g ＝1,4 mΩ×80 nC = 112mΩ・nC (sekitar 45% lebih rendah dari 1.9 mΩ×108 nC=205,2 mΩ・nC untuk TPM1R908QM)
• Penggunaan paket SOP Advance(E) yang memiliki resistansi paket rendah dan resistansi termal rendah.

Spesifikasi Utama

Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang produk baru.
TPM1R408RH

Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang MOSFET Toshiba.
MOSFET

Untuk memeriksa ketersediaan produk baru di distributor online, kunjungi:
TPM1R408RH
Beli Online

* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin merupakan merek dagang masing-masing perusahaan.
* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, isi layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada saat informasi ini diumumkan, tetapi dapat berubah sewaktu-waktu tanpa pemberitahuan sebelumnya.

Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation adalah penyedia terkemuka di bidang solusi semikonduktor dan solusi penyimpanan yang canggih. Dengan pengalaman dan inovasi selama lebih dari setengah abad, kini menawarkan semikonduktor diskrit, produk sistem LSI sistem dan HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan mitra bisnis.

17.400 karyawannya di seluruh dunia memiliki tekad yang sama, yaitu memaksimalkan nilai produk dan mendorong kerja sama erat dengan pelanggan untuk menciptakan nilai dan pasar baru bersama-sama. Perusahaan ini berharap dapat membangun dan berkontribusi terhadap masa depan yang lebih baik bagi semua orang di mana saja.

Cari tahu lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.

Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/20260629095995/en

Contacts

Untuk Pertanyaan dari Pelanggan:
Departemen Penjualan dan Pemasaran Perangkat Daya dan Sinyal Kecil
Telp: +81-44-548-2216
Hubungi Kami

Untuk Pertanyaan dari Media:
C. Nagasawa
Departemen Komunikasi & Intelijen Pasar
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
[email protected]

Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Pewarta: PR Wire
Editor: PR Wire
Copyright © ANTARA 2026

Dilarang keras mengambil konten, melakukan crawling atau pengindeksan otomatis untuk AI di situs web ini tanpa izin tertulis dari Kantor Berita ANTARA.